RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
62
Autour de -158% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,658.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,216.7
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,658.4
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
688
2969
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link