RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
60
Autour de -173% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
22
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
3222
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link