RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
44
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
36
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2570
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link