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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
44
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8,883.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
22
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2611
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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