RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
16.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3961
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link