RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,303.7
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
117
Autour de -333% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
3701
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
AMD R934G2401U1S 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link