RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
117
Autour de -193% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
2,303.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
40
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
2411
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP564U64CP8-C4 512MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link