RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
74
117
Autour de -58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,303.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
74
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
1616
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link