RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
68
Autour de -113% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3726
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link