RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
68
Autour de -209% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3166
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link