RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
68
Autour de -36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
50
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
2512
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link