RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
68
Autour de -209% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3110
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link