RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1570
3448
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link