RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Comparez
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Note globale
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
35
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1570
3137
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link