RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
70
Autour de -37% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
51
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2570
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link