RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
70
Autour de -63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
3,071.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
43
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2128
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link