RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.7
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.6
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
22.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1453
4202
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link