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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Comparez
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Note globale
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Note globale
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
71
Autour de 61% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
71
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1453
1767
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaison des RAM
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Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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