RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
54
Autour de -74% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
1,781.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,269.3
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,781.8
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
618
2361
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link