RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
63
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2804
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link