RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
63
Autour de -232% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
20.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3821
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link