RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
63
Autour de -142% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3547
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link