RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
63
Autour de -174% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3169
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link