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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
5300
1900
Autour de 2.79% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
63
Autour de -40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
45
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
1900
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2387
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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