RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
63
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3287
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link