RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
63
Autour de -186% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3172
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link