RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
63
86
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
86
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
1658
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link