RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
63
Autour de -186% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
4240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link