RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
31
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
3222
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaison des RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link