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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
20.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
4174
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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