RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
22.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
16
46
Autour de -188% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.6
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
16
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
22.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3906
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link