RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
46
Autour de -18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
39
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2600
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link