RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
71
Autour de 35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
71
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
1757
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link