RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2910
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link