RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
58
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
58
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
1998
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link