RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
50
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2467
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link