RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
50
Autour de -9% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
46
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2481
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641160 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link