RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
50
Autour de -43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2824
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link