RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
54
Autour de -125% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,952.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,586.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,952.2
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
704
2925
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB Comparaison des RAM
Corsair VS2GB800D2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link