RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Comparez
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Note globale
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
25
Autour de 16% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
13.9
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3774
3731
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link