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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparez
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
34
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1989
2584
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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