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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
87
Autour de -278% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2130
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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