RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
16.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
87
Autour de -164% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
20.7
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3500
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link