RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
87
Autour de -135% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2836
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link