RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
20.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
87
Autour de -263% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
20.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
4029
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link