RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
87
Autour de -263% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2946
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link