RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
87
Autour de -47% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
59
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2181
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link