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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Note globale
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Note globale
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Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 3
    Valeur moyenne dans les tests
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB Raisons de considérer
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Signaler un bogue
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,580.7 left arrow 1,590.1
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    53 left arrow 53
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,726.4 left arrow 3,217.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,590.1 left arrow 2,580.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    522 left arrow 776

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB

Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB Comparaison des RAM

Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons

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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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