RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
96
Autour de -191% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2910
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link