RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
40
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
33
Velocità di lettura, GB/s
11.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1654
3035
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link